簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "diode".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"


  • 在搜尋的結果範圍內查詢： 搜尋 展開檢索結果的年代分布圖

  • 個人化服務 ：

    我的檢索策略

  • 排序：

      
    • 儲存 列印 E-mail 收藏

    已勾選0筆資料

      本頁全選

    1
    微型二極體陣列製作與覆晶接合至矽晶圓
    • 電子工程系 /109/ 碩士
    • 研究生： 張美雲   指導教授： 葉秉慧
    • 發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛，但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題，我們利用覆晶封裝的技術，將氮化…
    • 點閱：213  下載：0 
    • 全文公開日期 2031/09/07 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    2
    以氮化鎵磊晶於矽基板晶圓製作的共振腔發光二極體
    • 電子工程系 /110/ 碩士
    • 研究生： 周俊維   指導教授： 葉秉慧
    • 由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板都是矽，最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…
    • 點閱：240  下載：0 
    • 全文公開日期 2024/07/25 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/07/25 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/07/25 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    3
    製造與比較氮化鎵p-i-n光偵測器與逆偏的發光二極體
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生： 吳政佑   指導教授： 葉秉慧
    • 本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓，晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光)，在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍，…
    • 點閱：291  下載：2 

    4
    氮化鎵發光二極體串聯電阻最低化的元件電路模型與製程改進
    • 光電工程研究所 /100/ 碩士
    • 研究生： 陳景煌   指導教授： 葉秉慧
    • 在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
    • 點閱：221  下載：10 

    5
    以有機金屬氣相磊晶法製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體之研究-圖案化基材、緩衝層及反平行電域結構對元件特性的效應
    • 應用科技研究所 /100/ 博士
    • 研究生： 黃振斌   指導教授： 洪儒生
    • 本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體，分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…
    • 點閱：283  下載：7 
    1